Подложки SiO2
Артикул:
Содержание основного вещества SiO₂: ≥99,9 масс.%, белого цвета; термическая стойкость, низкий коэффициент теплового расширения, отличные диэлектрические свойства. Предназначены для использования в электронике, энергетике, лазерных системах и высокотемпературных средах.

Описание

  • Содержание основного вещества SiO₂: ≥99,9 масс.%
  • Плотность: 2.5 г/см³
  • Объемная пористость: ≤1%
  • Максимальная рабочая температура: 1450°C

Геометрические параметры
Толщина подложки:
0,5–10 мм (стандартные размеры)
Форма:
Прямоугольная, круглая, индивидуальная (по требованию заказчика)
Допуск размеров:
±0,1 мм (для толщины до 5 мм), ±0,2 мм (для толщины свыше 5 мм)


Содержание SiO2

≥99,9 масс.%

Цвет

Белый

Плотность

≥ 2,5 г/см3

Твердость по Моосу

7-8

Модуль упругости

70-90 ГПа

Прочность на изгиб

100 МПа

Коэффициент теплопроводности

1,3–1,5 Вт/(м·К) при 25°C

Рабочая температура

1200°C

Диэлектрическая проницаемость

3,7-3,9

Подложки могут быть изготовлены по индивидуальному заказу в соответствии с конкретными требованиями, такими как:
  • Различные уровни чистоты материала - более высокая чистота обеспечивает улучшенные свойства, но при этом увеличивает стоимость;
  • Дополнительная обработка (полировка, шлифовка, глазурь);
  • Точное соблюдение допусков по размеру и формы отверстия.